Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24465 |
Цитируемость | |
суммарная | 320835 |
на статью | 13,1 |
Индекс Хирша | 168 |
G-индекс | 284 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 27734 |
Цитируемость | |
суммарная | 344960 |
на статью | 12,4 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
В работах [1, 2] представлены результаты измерений нестационарной фото-эдс в моноклинном кристалле Ga2O3 на длине волны 457 нм. Кристалл обладает изолирующими свойствами и демонстрирует высокую прозрачность для видимого света, что не препятствует формированию динамической решетки пространственного заряда и регистрации сигнала нестационарной фото-эдс во внешних электрических полях — нулевого, постоянного и переменного. Измеренная амплитуда сигнала анализируется в зависимости от частоты фазовой модуляции (ω), пространственной частоты интерференционной картины (K) и величины электрического поля (E). Для выбранной длины волны определены фотопроводимость кристалла, спектральная чувствительность и диффузионная длина фотовозбужденных носителей. Высокий уровень сигнала и равномерность частотной характеристики нестационарной фото-эдс в кристалле оксида галлия являются преимуществами, которые могут иметь решающее значение при разработке и изготовлении адаптивных фотоприемников, работающих в коротковолновой области видимого света.
Иллюстрации
Частотная зависимость нестационарной фото-ЭДС в β-Ga2O3. Вставка: зависимость амплитуды сигнала и частоты среза от приложенного переменного электрического поля.
Работа выполнена в рамках гранта РНФ № 19-12-00323
Направление ПФНИ 1.3.2.4.
Публикации