| Название: | Спиновая когерентность кубитов на основе кремниевых вакансий в SiC |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - Физика и науки о космосе |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники; 02-340 Спектроскопия; 02-205 Нано- и микроструктуры |
| Тип: | иссл. международный |
| Руководитель(и): | Баранов,ПГ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 14-02-91344 |
| Финансирование 2014 г.: | 700 000 |
| Финансирование 2015 г.: | 700 000 |
| Финансирование 2016 г.: | 1000 000 |
| Исполнители: |
Бабунц,РА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Бундакова,АП: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Ильин,ИВ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Мохов,ЕН: лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
Музафарова,МВ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Солтамов,ВА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Толмачев,ДО: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
Успенская,ЮА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
|
Будут измерены времена спино-решеточной релаксации и спиновой когерентности для кремниевых вакансионных центров в карбиде кремния (SiC) при различных температурах в зависимости от политипа кристалла и изотопного состава. Будет использована схема оптической накачки спиновых подуровней с целью инициализации /считывания спиновых состояний и импульсные магнитно-резонансные методы для спиновой манипуляции. В экспериментах будет использована конфокальная и зондовая микроскопия для выполнения квантовых операций на одном спине кремниевой вакансии при комнатной температуре.
Кремниевые вакансионные центры в SiC потенциально объединяют большую часть преимуществ различных твердотельных систем, которые рассматриваются как реалистичные кандидаты для выполнения квантовых вычислений на основе спиновых свойств. Это включает в себя оптическую инициализацию без необходимости приложения внешних магнитных полей. При этом ожидаются длинные времена спиновой когерентности в изотопно очищенных кристаллах при комнатных температурах и развитие микротехнологий на основе SiC. В случае успеха, наш проект продемонстрирует ожидаемый высокий потенциал карбида кремния в качестве материала для наноразмерных квантовых технологий и стимулировать дальнейшие исследования в этой области.
