Название:Квантовые точки Cs/InAs/GaAs, аккумуляционные слои и самоорганизованные наноструктуры на поверхности нитридов III группы
Грантодатель:Президиум РАН
Время действия проекта:2009-2011
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Бенеманская,ГВ
Подразделения:
Код проекта:3.
Исполнители: Вихнин,ВС: лаб. спектроскопии твердого тела
Франк-Каменецкая,ГЭ: None
Лапушкин,МН: лаб. физики адсорбционно-десорбционных процессов (Галля,НР)
Тимошнев,СН: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Исследование новых наноразмерных объектов и самоорганизованных структур на поверхности нитридов III–группы предоставляет широкие возможности для направленной модификации и управления квантовыми, электронными и спин-зависимыми свойствами. Проведение экспериментальных и теоретических исследований в данном направлении представляется важными с точки зрения фундаментальных знаний и является необходимым условием для создания функциональных наносистем. Особенность предлагаемого проекта обусловлена созданием и исследованием in situ в условиях сверхвысокого вакуума новых нанообъектов (аккумуляционных слоев, кластеров, самоорганизованных наноструктур, квантовых точек и др.) с неординарными квантово-размерными свойствами, электронной структурой, спин-зависимыми и фотоэмиссионными свойствами. Планируются теоретические исследования. В проекте предлагается разработка наиболее перспективных методов создания новых нанообъектов – 1) метод прецизионного профилирования (2040нм) поверхностного электронного заряда за счет создания электронного аккумуляционного нанослоя при адсорбции Cs или Ba на поверхности n-GaN(0001), n-InGaN(0001), n-AlN(0001), n-InAs(100), 2) формирование аккумуляционного нанослоя с максимальной плотностью состояний при наличии спин-зависимых эффектов за счет поверхностного легирования образцов атомами Co, Cr, Fe, Mn, 3) самоорганизация регулярных наноструктур с ячейками наномасштаба посредством ковалентного связывания с атомами металлов, 4) создание декорированных атомами Cs квантовых точек QD’s Cs/InAs/GaAs с уникальными свойствами. Для исследований, характеризации и контроля за свойствами наноструктур и нанообъектов в проекте, наряду с традиционными методами (АСМ, ТЕМ, электронной микроскопии), используется разработанный нами оригинальный метод фотоэмиссионной спектроскопии с линейно- и циркулярно- поляризованным возбуждением фотоэмиссии. Метод является крайне эффективным для послойного (по нормали к поверхности) зондирования в диапазоне 0.5 30 нм электронных свойств и спин-зависимых явлений. Следует отметить, что экспериментальные методы и подходы, используемые для создания и изучения нанообъектов являются оригинальными. Все предложенные исследования являются новыми и будут проведены впервые в мировой практике.