| Название: | Наноразмерные кристаллические слои и зарядовые аккумуляционные слои III- нитридов |
| Грантодатель: | Президиум РАН |
| Время действия проекта: | 2008-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Бенеманская,ГВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 3.2.10 |
| Исполнители: |
Берковиц,ВЛ: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Вихнин,ВС: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
Львова,ТВ: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Франк-Каменецкая,ГЭ: None
Улин,ВП: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Карпенко,АН: лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
Тимошнев,СН: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Прозоров,АС: None
Колосько,АГ: лаб. циклотронная (Найденова,ВО)
|
Особенность предлагаемого проекта обусловлена как новыми наноразмерными объектами исследования, обладающими уникальными структурными, электронными и магнитными свойствами, так и комплексным подходом с применением оригинальных оптических и фотоэмиссионных методов исследования in situ при линейно- и циркулярно-поляризованном возбуждении совместно с методами АСМ и СТМ.
Проект предполагает проведение экспериментальных и теоретических исследований следующих явлений и эффектов в наноразмерных кристаллических слоях нитридов третьей группы, а также в созданных нами регулярных наноструктурах нового типа (наносоты) и зарядовых аккумуляционных слоях, индуцированных адсорбцией металлов на поверхности III- нитридов:
• создание и управление параметрами 2D электронных каналов (зарядовых аккумуляционных слоев), индуцированных адсорбцией металлов на поверхности III- нитридов: n-GaN(0001), n-Ga1-x AlxN.
• исследование in situ в сверхвысоком вакууме структурных, электронных и фотоэмиссионных свойств зарядовых аккумуляционных слоев для систем Cs/n-GaN(0001), Ba/n-GaN(0001), Cs+Ba/n-GaN(0001), Cs/n-Ga1-x AlxN, Ba/n-Ga1-x AlxN, Cs+Ba/n-Ga1-x AlxN в широком диапазоне покрытий от субмонослойных до 2-3-монослоев и в широком температурном диапазоне адсорбции.
• создание и исследование регулярных наноструктур нового типа (наносоты), эффектов самоорганизации наноструктур на поверхности n-GaN(0001) при многократной адсорбции Cs+Ba , изучение морфологии, электронных, магнитных и фотоэмиссионных свойств наноструктур.
• исследование структурных, электронных и оптических свойств нанокристаллических нитридных пленок GaN и InN, сформированных на поверхности (001) GaAs, (001) InAs.
• создание монослойных нитридных пленок на поверхностях GaAs с ориентациями (110) и (111)A,B и изучение состава, структуры, химической и термической устойчивости
• исследование модификации с помощью СТМ микрорельефа нитридизованных поверхностей GaAs. Изучение наноразмерных участков чистой поверхности подложки, форма и параметры которых создаются и контролируются с помощью СTM. Исследования направлены на разработку новых способов нанолитографии.
