Название:Полупроводниковые гетероструктуры с асимметричными потенциальными барьерами для достижения высокой температурной стабильности лазерных диодов
Грантодатель:СПбНЦ РАН
Время действия проекта:2010-2010
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Жуков,АЕ; Гордеев,НЮ
Подразделения:
Код проекта:1.3
Финансирование 2010 г.:450 000