Название:	Низкоразмерный квантовый транспорт в наноструктурах на основе германия и кремния
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-210 Низкие температуры и сверхпроводимость 02-450 Физическая акустика
Ключевые слова:	низкоразмерные структуры, квантовый эффект Холла, акустоэлектронные эффекты, переход металл-диэлектрик
Время действия проекта:	2011-2013
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Дричко,ИЛ
Подразделения:	лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Код проекта:	11-02-00223
Финансирование 2011 г.:	500000
Исполнители:	Гальперин,ЮМ: сектор физической кинетики и электроакустических явлений (Бельтюкова,ЯМ) Дьяконов,АМ: лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ) Малыш,ВА: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП) Смирнов,ИЮ : лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)

Многообразие нанообъектов на основе Ge и Si дают возможность исследовать различные их свойства, зависящие от конструкции объекта, и всегда получать новые и интересные экспериментальные результаты. Объектами исследования в этом проекте будут наноструктуры p-Si/SiGe с двумерным каналом, расположенным в напряженном слое SiGe, p-Ge/GeSi с 2-мерным каналом, расположенным в напряженном слое Ge, n-5i/SiGe с 2-мерным каналам, расположенным в напряженном слое S1, и структуры с квантовыми точками Ge в Si. Планируется исследовать эти объекты стандартными методами на постоянном токе для определения статического магнитосопротивления и акустическими методами для определения вы со ко частот ной проводимости в температурном интервале 0.3-4.2 К и магнитных полях до 18 Тл. В проекте также планируется освоить новую методику для определения высокочастотной проводимости на основе планарного волновода, чтобы расширить диапазон частот, в котором будет изучаться высокочастотная проводимость. Проблемы, которые планируются изучать в зтих объектах связаны с исследованием перехода холловский ферромагнетик- парамагнетик и образования доменов в области перехода (p-Si/SiGe), с динамикой отжига наносистем с квантовыми точками Ge в Si, создания модели нелинейностей в прыжковой высокочастотной проводимости, определения величины g-фактора и его анизотропии (р- Ge/GeSi) и транспортных высокочастотных свойств n-Si/SiGe.