Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 

 

Из событий последних месяцев

  • 120 лет со дня рождения Анатолия Петровича Александрова

    Анатолий Петрович Александров родился в г. Тараща Киевской губ. Окончил Киевский институт народного образования (1929). С 1920 г. электромонтер в Киевском физико-химическом обществе, с 1922 г. учитель в трудовых школах, одновременно учился и работал в Киевском рентгенологическом институте. В наш Институт А.П. Александров пришел по приглашению А.Ф. Иоффе в 1930 году. Первая научная статья была написана им по физике диэлектриков в 1929 году, в возрасте 26 лет. Работал в группе «полимерщиков» в составе П.П. Кобеко, Е.В. Кувшинского, С.Н. Журкова, С.Е. Бреслера, Ю.С. Лазуркина, М.И. Корнфельда, В.Р. Регеля и др. В 1937 году защитил кандидатскую диссертацию «Пробой твердых диэлектриков». Работы 1933−1941 гг. составили содержание его докторской диссертации «Релаксация в полимерах», защита прошла 27 июня 1941 г. C 1936 г. также возглавлял работы ЛФТИ по размагничиванию боевых кораблей для их защиты от магнитных мин и торпед, с 1941 г. продолжил размагничивание на действующем флоте. В 1946–1954 гг. − директор Института физических проблем АН СССР, с 1947 г. − заместитель начальника Лаборатории № 2. Принимал участие в организации выпуска оружейного плутония (1949). В 1952 г. назначен научным руководителем проекта первой атомной подводной лодки. В 1960–1988 гг. − директор Института атомной энергии имени И.В. Курчатова. Под научным руководством А.П. Александрова созданы ядерные реакторы для АЭС, для подводных лодок, разработаны и построены судовые энергетические установки для атомных ледоколов «Ленин», «Арктика» и «Сибирь». Подробнее...

  • В «Доме учёных»

    «Дом учёных» — цикл передач телеканала Россия-1, созданный к 300-летию Российской Академии наук, авторская программа академика РАН А.И. Рудского, рассказывающая о современной науке, внутренних законах её развития, об открытиях и достижениях выдающихся российских учёных. 26 января 2023 гостем программы стал директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе член-корреспондент РАН Сергей Викторович Иванов. Подробнее...

  • О работе молодежных лабораторий, открытых в 2022 году

    19 января 2023 года состоялось заседание Коллегии дирекции Института, на котором были заслушаны сообщения заведующих молодёжных лаборатории, открытых в 2022 году. О проведенной и планируемой работе доложили С.О. Слипченко, С.И. Павлов, Н.А. Калюжный, С.А. Левина, С.А. Блохин и К.В. Рейх. В обсуждении также приняли участие заведующие базовых лабораторий - Н.А. Пихтин, П.Н. Брунков, М.З. Шварц, В.М. Устинов и А.Я. Вуль.

  • ФТИ им. А.Ф. Иоффе начинает разработку новых полупроводниковых лазерных источников для гетерогенной интеграции с фотонными интегральными схемами на кремниевых подложках

    Четырехстороннее соглашение подписано между признанным лидером в области разработки и исследования полупроводниковых наногетероструктур А3В5 и лазеров на их основе ФТИ им. А.Ф. Иоффе, первым в России постановщиком серийного производства ФИС Зеленоградским нанотехнологическим центром, университетом с многолетним уникальным опытом разработки кремниевых технологий ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» и крупнейшим российским разработчиком и производителем трансиверов Future Technologies. Проект подразумевает разработку и производство трансиверов для центров обработки данных со скоростью 100-400 Гбит/с с применением фотонных интегральных схем. Подробнее...

  • Курчатов в Физтехе – к 120-летию со дня рождения

    Игорь Васильевич Курчатов родился 12 января 1903 г. на Урале в семье землемера в селе Сим Уфимской губернии (ныне Челябинская обл.). Детство провел в Симферополе. В 1920 г. окончил гимназию и вечернюю ремесленную школу, в 1923 г. − физико-математический факультет Крымского университета им. М.В. Фрунзе. В 1923 г. поступил на третий курс кораблестроительного факультета Петроградского политехнического института.

    С 1925 г. по 1944 г. работал в ЛФТИ: зам. начальника особой группы по ядру с 1932 г., начальник отдела ядерной физики с 1933 г., начальник отдела физики ядра с 1934 г., зав. лабораторией ядерных реакций с 1936 г., зав. лабораторией № 3 с 1942 г. В 1927–1929 был доцентом ЛПИ, в 1936–1941 заведовал кафедрой Ленинградского педагогического института. Первые научные публикации были посвящены новому явлению — сегнетоэлектричеству. С 1932 г., одним из первых в стране, начал изучать физику атомного ядра. В 1934 г. наблюдал разветвление ядерных реакций, происходящих после нейтронного облучения веществ, затем исследовал искусственную радиоактивность, открыл ядерную изомерию. В 1940 г. под научным руководством И.В. Курчатова аспиранты Г.Н. Флеров и К.А. Петржак открыли спонтанное деление урана.

    Подробнее о работе И.В. Курчатова в Институте можно узнать здесь.

Основные научные достижения

  • Сверхбыстрое лазерно-индуцированное изменение магнитной анизотропии и динамика намагниченности в синтетическом мультиферроике CoFeB/BaTiO3
  • Гигантское увеличение фононной теплопроводности в сплавах на основе топологически нетривиального полуметалла CoSi
  • Квантовые сканирующие датчики магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiC
  • Подобие механизмов формирования областей фазового расслоения в Y3Fe5O12, EuFeO3, YCrO3, Eu2CuO4 и в мультиферроиках RMn2O5
  • Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения
  • Металл-центрированная редокс активность в полимерных комплексах кобальта со стерически-затруденнымлигандомсаленового типа: фундаментальные аспекты и применение в гибридных суперконденсаторах
  • Кристаллическая структура, Рамановская спектроскопия и диэлектрические свойства новых полуорганических кристаллов на основе 2-метилбензимидазола
  • Открытие ферромагнетизма (d0-магнетизма) кремния
  • Эффект отрицательной циркулярной поляризации в квантовых ямах CdMnTe/CdMgTe
  • Сверхбыстрая спиновая динамика и фазовые переходы в магнитных материалах с взаимодействующими подсистемами
  • Метаморфные наногетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs для электроники и оптоэлектроники среднего ИК диапазона 2.6—4.5 мкм
  • Квантовая акусто-электронная диагностика двумерных систем с высокой подвижностью носителей