Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

Из событий последних месяцев

  • Выборы директора Института

    6 июня, с 8:00 до 18:00, прошли выборы директора нашего Института.

    7 июня Ученый совет Института на своем заседании единогласно утвердил Протокол Избирательной комиссии по результатам выборов.

    Ниже приведены выдержки из Протокола Избирательной комиссии:

    Общее число работников в списке для голосования 1977 чел.

    Приняли участие в голосовании - 1330 чел. (67%).

    Результаты голосования:

    Из общего числа действительных бюллетеней (1308) подано голосов "ЗА":

    Брунков Павел Николаевич – 195 (14,9 %)
    Иванов Сергей Викторович – 836 (63,9 %)
    Соколов Игорь Александрович – 277 (21,2 %)

    Таким образом, по результатам голосования, на должность директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе коллективом Института избран Сергей Викторович ИВАНОВ.

  • Лауреаты конкурсов лучших работ Института и лучших работ молодых учёных Института 2023 года

    07 июня 2024 года на заседании Ученого совета Института состоялось поздравление лауреатов завершившихся недавно конкурсов лучших работ ФТИ им. А.Ф. Иоффе и лучших работ молодых учёных ФТИ им. А.Ф. Иоффе 2023 года. Директор Института С.В. Иванов и ученый секретарь М.И. Патров вручили дипломы лауреатам.

    Результаты конкурса лучших работ ФТИ

    Результаты конкурса лучших работ молодых ученых ФТИ

  • Поздравляем с присуждением премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2024 году!

    23 мая 2024 года Постановлением Правительства Санкт-Петербурга № 364 премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2024 году присуждены:

    • в номинации физика и астрономия — премия им. А.Ф. Иоффе, за цикл работ «Физические условия и химический состав ранней Вселенной» — член-корр. РАН Иванчику Александру Владимировичу;
    • в номинации материаловедение – премия им. Д.К. Чернова, за цикл работ «Конструирование и синтез каталитических материалов в условиях ограниченности массопереноса для применения в области возобновляемой энергетики» — канд. хим. наук Попкову Вадиму Игоревичу;
    • в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Квантовый контроль и измерения спинов в наносистемах» — канд. физ.-мат. наук Смирнову Дмитрию Сергеевичу.
  • С Днем Победы!

    Дорогие физтеховцы!

    День Победы – священный день для каждого гражданина нашей страны. Сколько бы ни миновало лет с 9 мая 1945 года, День Победы навсегда останется для нас, наших детей и внуков символом патриотизма, символом гордости за подвиг нашего народа во Второй мировой войне, символом его непобедимости и великодушия!

    Мы отдаем дань глубокого уважения и признательности доблести и героизму наших воинов, мужеству работавших в тылу, несгибаемости духа миллионов советских людей, стойко перенесших тяготы и страдания Великой Отечественной войны ради долгожданной Победы и мирной жизни будущих поколений граждан нашей страны и всего мира, другими словами, всем, кто прошел через те жестокие испытания и особенно тем, кто отдал свои жизни за Победу, так и не дождавшись ее!

    Наш низкий поклон всем ветеранам Великой отечественной войны, блокадникам и труженикам тыла!

    Сегодня этот праздник приобретает особое значение. Он объединяет всех нас – кто стоит на страже безопасности и суверенитета России, выполняет свой воинский долг в зоне СВО, организует обеспечение наших воинов и помощь жителям освобожденных территорий, восстанавливает разрушенные города и поселки, вносит вклад в укрепление обороноспособности и технологической независимости нашей родины, ее свободное развитие и будущее процветание в многополярном добрососедском мире!

    Сердечно поздравляем всех сотрудников Института и их близких с Днем Победы, желаем крепкого здоровья, благополучия, счастья и мирного неба над головой!

  • О создании новой молодежной лаборатории

    В апреле 2024 года в рамках реализации национального проекта «Наука и университеты» в нашем Институте создана новая молодежная лаборатория.

    Заведующей лабораторией спин-фотонных полупроводниковых систем для квантовых технологий стала Успенская Юлия Александровна.

    Поздравляем коллектив лаборатории и желаем выдающихся научных достижений!

Основные научные достижения

  • Роль границы раздела для пикосекундной спиновой накачки в гетероструктурах антиферромагнетик-тяжелый металл
  • Разработка методов управления сильноточной дугой в вакуумных выключателях для высоковольтных энергосистем
  • Самоостановка предельно коротких световых импульсов в однородной среде
  • Неупругое рассеяние света с переворотом спина одного и двух резидентных электронов в полупроводниковых коллоидных нанопластинках CdSe
  • Квантовая акусто-электронная диагностика двумерных систем с высокой подвижностью носителей
  • Динамика взаимодействий важных для биологии молекул, возбуждаемых фемтосекундными импульсами лазера
  • Новые кремниевые приборы силовой импульсной электроники
  • Квантовые сканирующие датчики магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiC
  • Усиление влияния наночастиц на упругие свойства нанокомпозитов за счет структурного беспорядка
  • Высокочувствительная томсоновская диагностика быстрых процессов в горячей плазме токамаков
  • Эффективная генерация терагерцового излучения полупроводниковыми нитевидными нанокристаллами
  • Высоковольтные полупроводниковые коммутаторы мощных быстро нарастающих импульсов тока