Области исследования

  • физика и технология (MBE, MOCVD) кремния и полупроводниковых гетероструктур групп A3B5, А2В6 и A3-N, в особенности низкоразмерных наноструктур (квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек)
  • электронное материаловедение и диагностика (просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия, электронный микроанализ проб, рентгеновская дифракция и топография, электронная Оже-спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, спектроскопия переходо
  • оптоэлектроника, наноэлектроника, спинтроника на основе низкоразмерных гетероструктур
  • фотовольтаические преобразователи и солнечные элементы
  • теория электрических, оптических и квантовых когерентных явлений в полупроводниках
  • сверхбыстрые процессы и нелинейные оптические явления
  • полупроводниковые лазерные диоды (CW, DFB и пикосекундные гетероструктурные лазеры, лазеры с электронно-лучевой накачкой), фотодетекторы и фотоэлементы для среднего ИК, ИК, видимого и УФ спектральных диапазонов
  • импульсные мощные приборы на основе полупроводниковых соединений группы A3B5
  • металл-оксидные функциональные материалы, в том числе наноматериалы, для применения в энергетике

Руководство

Кадровый состав

Научные работники: 319
В том числе:

  • докторов наук — 46
  • кандидатов наук — 150
Средний возраст научных работников (лет): 47,7

Подразделения