Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24970 |
Цитируемость | |
суммарная | 322324 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 169 |
G-индекс | 285 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 28008 |
Цитируемость | |
суммарная | 345612 |
на статью | 12,3 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
Продемонстрирована эффективная генерация терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Генерация обусловлена быстрым движением фотовозбужденных носителей заряда в нанопроводах в поверхностном и контактном полях, а также амбиполярной диффузией фотовозбужденных носителей заряда. Эффективность генерации определяется усилением электромагнитного поля за счет резонансного возбуждения вытекающих волновых мод (резонансы Ми) в нанокристалле. При оптимальной геометрии массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность генерации выше, чем в объемном полупроводнике p-InAs, являющимся сегодня наиболее эффективным когерентным терагерцовым эмиттером.
Иллюстрации
Рис.1 СЭМ изображение массивов нанокристаллов
Рис.2 Волновые формы терагерцовых импульсов
Публикации