| Название: | Исследования эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетках квантовых точек в присутствии внешнего электрического поля |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-205 Нано- и микроструктуры 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | квантовые точки, сверхрешетки, состояния, эффект Ваннье_Штарка, локализация, минизоны, Ge/Se, InAs/GaAs |
| Время действия проекта: | 2008-2010 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Соболев,ММ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 08-02-01317 |
| Финансирование 2008 г.: | 330000 |
| Исполнители: |
Гаджиев,ИМ: лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
Жуков,АЕ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Задиранов,ЮМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Цырлин,ГЭ : None
|
На электрические и оптические свойства сверхрешеток квантовых точек должно оказываться сильное влияние внешних электрических полей, приложенных к структуре. Целью проекта является детальное являются изучение электрических и оптических свойств, условий, характеристик и параметров структур с сильно связанными вертикально коррелированными квантовыми точками, получаемых за счет самоорганизации полупроводниковых гетероструктур в соединениях А3Б5 и Ge/Si, при которых происходит образование сверхрешеток квантовых точек. Кроме того будут исследоваться условий перехода системы от молекул квантовых точек к сверхрешеткам квантовых точек в зависимости от числа рядов КТ. Не менее важной задачей в рамках указанной проблемы является изучение механизма образования минизон из отдельных уровней КТ и делокализации волновых функции электронов по всей сверхрешетке КТ. Целью проекта является также изучение режимов эффекта Ваннье-Штарка в зависимости от величины приложенного внешнего электрического поля: (i) лестницы Ваннье-Штарка, состоящей из серии дискретных уровней, образующихся в результате снятия вырождение энергий в минизонах; (ii) локализации Ваннье-Штарка, когда при увеличении поля связывание волновых функций электронов подавляется и они локализуются в каждой квантовой точке; (iii) а также нерезонансного туннелированиея Зинера, возникающего при дальнейшем увеличении величины электрическом поле. Будут проведены исследования механизмов, ответственных за эффект Ваннье-Штарка в спектрах оптических переходов сверхрешеток квантовых точек и спектрах тепловой эмиссии методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней, позволяющих определять раздельное поведение электронов и дырок в p-n-структурах сверхрешеток квантовых точек. Определенное внимание будет уделено изучению глубоких уровней дефектов, эмиссия с которых, идет через дискретные уровни состояний лестницы Ваннье-Штарка. Экспериментальные результаты будут использованы для оптимизации структур сверхрешеток с квантовыми точками, имеющих высокую степень свободы в управлении оптическими и тепловыми переходами с помощью внешнего электрического поля.
