| Название: | Исследование новых физических свойств InN и родственных наноструктур |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-201 Теория конденсированного состояния 02-340 Спектроскопия 02-205 Микроструктуры |
| Ключевые слова: | нитридные полупроводники, твердые растворы, электронная структура, ширина запрещенной зоны, фотолюминесценция, дефекты, свободные носители, динамика кристаллической решетки |
| Время действия проекта: | 2005-2007 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Давыдов,ВЮ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 05-02-90569 |
| Финансирование 2007 г.: | 400000 |
InN и твердые растворы InGaN считаются очень перспективными материалами для оптоэлектроники в видимой и ИК области, а также для создания одиночных и каскадных солнечных фотоэлементов. Однако существующая к настоящему времени информация относительно многих фундаментальных свойств этих материалов является недостаточно полной и в ряде случаев противоречивой. Основной задачей проекта является всестороннее исследование электронных, оптических и структурных свойств выращенных методом МПЭ эпитаксиальных слоев InN и родственных гетероструктур и установление их фундаментальных параметров с использованием предыдущего опыта исследований участников проекта в этой области. Будет исследована зависимость структурных, морфологических, оптических и электрических свойств эпислоев от технологических параметров процессов выращивания. Особое внимание будет уделяться исследованию атомной природы и электронной структуры собственных дефектов, примесных центров и комплексов с целью определения влияния деф ектов на оптические и транспортные свойства образцов. Это позволит заложить научную основу для создания инженерии дефектов в этих материалах. Полученная информация позволит вырастить высококачественные эпитаксиальные слои InN, а также бездефектные квантовые ямы и другие квантово-размерные структуры на основе InN и его твердых растворов. Планируемые исследования позволят надежно установить наиболее фундаментальный параметр InN - ширину запрещенной зоны и оценить другие важные параметры зонной структуры - эффективные массы электронов и дырок в InN, концентрационную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах InN и величину межзонных скачков для различных гетеропар на основе InN. Комплексные технологические, структурные и оптические исследования, предлагаемые в этом проекте внесут существенный вклад в понимание фундаментальных свойств InN низкоразмерных квантовых структур на его основе и позволят разработать надежную и воспроизводимую технологию выращивания высококачестве нных гетероструктур на основе InN.
