| Название: | Участие в 16-й Международной Конференции по Физике и Технологии Наноструктур |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-330 Физика лазеров |
| Ключевые слова: | полупроводниковый лазер, температурный сдвиг длины волны лазерной генерации, оптический волновод, многослойный интерференционный отражатель, наклонные оптические моды |
| Время действия проекта: | 2008 |
| Тип: | конференционный |
| Руководитель(и): | Карачинский,ЛЯ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 08-02-16011 |
| Финансирование 2008 г.: | 40000 |
16я Международная Конференция по Физике и Технологии Наноструктур (16th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology) посвящена последним достижениям в области физики, технологии и применений твердотельных наноструктур. Задачей конференции является обмен знаниями между различными научными группами со всего мира, активно работающими в данных направлениях. Научная программа Конференции будет включать в себя широкий спектр фундаментальных и прикладных физических эффектов, а также технологических аспектов, связанных с наноструктурами. Специальная сессия конференции будет посвящена полупроводниковым лазерам и оптоэлектронным приборам. Конференция NANOSTRUCTURES: Physics and Technology проводится ежегодно и является одним из важнейших мировых форумов по физике наноструктур в мире. Полупроводниковые лазеры, обладающие высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации, привлекают внимание ученых всего мира на протяжении нескольких десятков лет. Здесь можно отметить в первую очередь лазеры с распределенной обратной связью, так называемые РОС-лазеры, и вертикально- излучающие лазеры (VCSELs). В ФТИ РАН недавно был предложен принципиально новый подход к созданию мощных лазеров с высокой температурной стабильностью характеристик. В его основе лежит оригинальная идея использования в схеме резонатора полупроводниковых лазерных гетероструктур многослойного интерференционного отражателя, приводящего к тому, что высокий фактор оптического ограничения и низкие потери на утекание реализуются только для света, распространяющегося под определенным углом и, следовательно, имеющего строго определенную длину волны. Такая селективность лазера приводит к высокой температурной стабильности длины волны излучения. Температурный сдвиг оптимальной длины волны лазерной генерации определяется относительно небольшими изменениями показателей преломления эпитаксиальных слоев с температурой по сравнению с быстрой температурной зависимостью ширины запрещенной зоны в полупроводниках и оказывается существенно меньше, чем в обычных полосковых лазерах. При непосредственном участии автора данного проекта лазеры, излучающие в наклонной оптической моде, были созданы и исследованы. Они продемонстрировали возможность управления температурным сдвигом длины волны лазерной генерации, высокую мощность излучения, низкую расходимость оптического пучка. Также было показано, что такие лазеры позволяют получать спектрально одномодовое излучение с характеристиками, близкими к РОС-лазерам. То, что именно в ФТИ РАН удалось предложить принципиально новый подход к созданию полупроводниковых лазеров, в первую очередь связано с исследованиями в области инжекционных лазеров на гетероструктурах, которые много лет проводятся в ФТИ и создали большой научно- технологический задел для сегодняшних результатов. конференции и познакомить мировое сообщество с российскими достижениями.
