| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 24970 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 322344 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 285 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28011 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 345612 |
| на статью | 12,3 |
| Индекс Хирша | 177 |
| G-индекс | 295 |
⇤ первая
« предыдущая
…
11
12
13
14
15
16
17
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 381
-
Название: Chapter 2. Piezoelectricity and crystal symmetry Издание: Piezoelectric and Acoustic Materials for Transducer Applications Авторы: A.L.Kholkin, N.A.Pertsev, A.V.Goltsev Издатель: SPRINGER US Год: 2008 Страницы: 17-38 Страниц: 495 ISBN: 978-0-387-76538-9 -
Название: Chapter 5. Long-wavelength quantum-dot lasers Издание: Solid-State Lasers: Properties and Applications Авторы: A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, N.N.Ledentsov Издатель: NOVA SCIENCE PUBLISHERS, INC Год: 2008 Страницы: 105-153 Страниц: 227 ISBN: 978-1-60456-181-4 -
Название: Spin-Photogalvanics Издание: Spin Physics in Semiconductors Авторы: E.L.Ivchenko, S.D.Ganichev Издатель: SPRINGER-VERLAG BERLIN Год: 2008 Страницы: 245-277 Страниц: 439 ISBN: 978-3-540-78819-5 -
Название: Coherent Spin Dynamics of Carriers Издание: Spin Physics in Semiconductors Авторы: D.R.Yakovlev, M.Bayer Издатель: SPRINGER-VERLAG BERLIN Год: 2008 Страницы: 135-177 Страниц: 439 ISBN: 978-3-540-78819-5 -
Название: Chapter 4. Charge Transport in Conducting Polymers Издание: Introduction to Organic Electronic and Optoelectronic Materials and Devices Авторы: V.N.Prigodin, A.J.Epstein Издатель: CRC PRESS Год: 2008 Страницы: 87-127 Страниц: 936 ISBN: 978-084-939-284-9 -
Название: Неупругое резонансное рассеяние света в полупроводниках: от объемных материалов до квантовых точек, функционализированных с биомедицинскими структурами Издание: Комбинационное рассеяние — 80 лет исследований Авторы: Б.Х.Байрамов, В.В.Топоров, Ф.Б.Байрамов, G.Irmer, M.Dutta, M.A.Stroscio Издатель: Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Москва Год: 2008 Страницы: 326-338 Страниц: 604 -
Название: Исследования фундаментальных характеристик фононного спектра нитридных полупроводников (AlN, GaN, InN) и диагностика структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Издание: Комбинационное рассеяние — 80 лет исследований Авторы: В.Ю.Давыдов, А.А.Клочихин, Ю.Э.Китаев, А.Н.Смирнов, И.Н.Гончарук, М.Б.Смирнов Издатель: Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Москва Год: 2008 Страницы: 570-594 Страниц: 604 -
Название: Si- and SiGe-based LEDs Издание: Advances in Light Emitting Materials Автор: N.A.Sobolev Издатель: TRANS TECH PUBLICATIONS LTD Год: 2008 Страницы: 79-100 Страниц: 288 ISBN: 978-0-87949-358-6 -
Название: Глава 8. Эволюция микроскопических пор и трещин в твердых телах Издание: Перспективные материалы и технологии Авторы: В.И.Бетехтин, А.Г.Кадомцев Издатель: Витебск, УО “ВГТУ” Год: 2008 Страницы: 171-187 Страниц: 509 ISBN: 978-985-481-104-8 -
Название: Self-organized dynamics of the Arctic sea-ice cover Издание: The Pacific and Arctic Oceans: New Oceanographic Research Авторы: A.Chmel, V.N.Smirnov Издатель: NOVA PUBLISHERS Год: 2008 Страницы: 131-155 Страниц: 197 ISBN: 978-1-60692-010-7 -
Название: Chapter 5. The role of the process heterogeneity in the critical dynamics of fracture Издание: Progress in Statistical Mechanics Research Автор: A.Chmel Издатель: NOVA PUBLISHERS Год: 2008 Страницы: 257-293 Страниц: 453 ISBN: 978-1-60456-028-2 -
Название: Оптика и спектроскопия плазмы токовых слоев Издание: Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Серия Б - Справочные приложения, базы и банки данных. Том III-2. Оптические свойства низкотемпературной плазмы. Под ред. В.Е.Фортова Авторы: А.Г.Франк, В.П.Гавриленко, Н.П.Кирий, Г.В.Островская Издатель: ФИЗМАТЛИТ, МОСКВА Год: 2008 Страницы: 353-400 Страниц: 784 ISBN: 978-5-8037-0429-4 -
Название: Chapter 6. A New Approach to the Electron State in Transition Metal Oxides: Covalent and Bonding Between Ions and Two Types of Electrons Издание: Leading-Edge Superconductivity Research Developments Автор: M.V.Krasinkova Издатель: NOVA PUBLISHERS Год: 2008 Страницы: 163-173 Страниц: 216 ISBN: 978-1-60456-017-6 -
Название: Chapter 4. Bipolar devices based on silicon carbide: physical issues Издание: Progress in Solid State Electronics Research Авторы: P.A.Ivanov, M.E.Levinshtein, T.T.Mnatsakanov, J.W.Palmour, A.K.Agarwal Издатель: NOVA PUBLISHERS Год: 2008 Страницы: 95-125 Страниц: 198 ISBN: 978-1-60021-852-1 -
Название: Chapter 10. Stress Relaxation Phenomena in Buried Quantum Dots Издание: Self-Assembled Quantum Dots Авторы: N.A.Bert, V.V.Chaldyshev, A.L.Kolesnikova, A.E.Romanov Издатель: SPRINGER Год: 2008 Страницы: 297-336 Страниц: 463 ISBN: 978-0-387-74190-1 -
Название: Chapter 7. HVPE Growth of GaN on Porous SiC Substrates Издание: Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications Авторы: M.Mynbaeva, D.Tsvetkov, K.Mynbaev Издатель: WILEY-VCH Год: 2008 Страницы: 171-211 Страниц: 332 ISBN: 978-0-470-51752-9 -
Название: Chapter 12. Dynamic nuclear polarization and nuclear fields Издание: Spin Physics in Semiconductors Авторы: V.K.Kalevich, K.V.Kavokin, I.A.Merkulov Издатель: SPRINGER Год: 2008 Страницы: 327-367 Страниц: 485 ISBN: 978-3-540-78819-5 -
Название: Chapter 11. Spin dynamics in dilute nitride Издание: Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems, v.105 Авторы: X.Marie, D.Lagarde, V.K.Kalevich, T.Amand Издатель: SPRINGER Год: 2008 Страницы: 283-299 Страниц: 592 ISBN: 978-3-540-74528-0 -
Название: Chapter 8. Modeling of Semitransparent Bulk Crystal Growth Издание: Crystal Growth Technology. From Fundamentals and Simulation to Large-scale Production Авторы: V.Kalaev, Y.Makarov, V.Yuferev, A.Zhmakin Издатель: WILEY-VCH VERLAG GMBH Год: 2008 Страницы: 205-228 Страниц: 521 ISBN-10: 3-527-31762-7; ISBN-13: 978-3-527-31762-2 -
Название: Chapter 6. Modeling of Czochralski Growth of Large Silicon Crystals Издание: Crystal Growth Technology. From Fundamentals and Simulation to Large-scale Production Авторы: V.Kalaev, Y.Makarov, A.Zhmakin Издатель: WILEY-VCH VERLAG GMBH Год: 2008 Страницы: 173-194 Страниц: 521 ISBN-10: 3-527-31762-7; ISBN-13: 978-3-527-31762-2
⇤ первая
« предыдущая
…
11
12
13
14
15
16
17
…
следующая »
последняя ⇥