| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 23250 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 305595 |
| на статью | 13,1 |
| Индекс Хирша | 167 |
| G-индекс | 279 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 26546 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 332222 |
| на статью | 12,5 |
| Индекс Хирша | 175 |
| G-индекс | 293 |
⇤ первая
« предыдущая
…
15
16
17
18
Всего записей: 360
-
Название: Sb-based nanostructures for mid-IR optoelectronics Издание: III-V Semiconductor Heterostructures: Physics and Devices, 2003, ed.W.Z.Cai Авторы: A.A.Toropov, O.G.Lyublinskaya, V.A.Soloviev, S.V.Ivanov Издатель: Research Signpost, Kerala, India Год: 2003 Страницы: 169-200 Страниц: 355 ISBN: 81-7736-170-8 -
Название: InN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy Издание: Vacuum Science and Technology: Nitrides as Seen by the Technology, 2002, eds.T.Paskova and B.Monemar Авторы: S.V.Ivanov, V.N.Jmerik Издатель: Research Signpost, Kerala, India Год: 2002 Страницы: 369-400 Страниц: 479 ISBN: 81-7736-198-8 -
Название: Fullerenes: ferromagnetic behavior Издание: Dekker Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology (5 Volumes) Авторы: T.L.Makarova Издатель: Marcel Dekker, Inc., USA Год: 2004 Страницы: 1655-1664 Страниц: 4000 ISBN: 0-824-74797-6 -
Название: Анодные явления в дуговых разрядах Издание: Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том II. Под ред. В.Е.Фортова Авторы: C.М.Школьник Издатель: Наука, Москва Год: 2000 Страницы: 147-165 Страниц: 634 ISBN: 5-020-02596-8 -
Название: Вакуумная дуга Издание: Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том II. Под ред. В.Е.Фортова Авторы: C.М.Школьник Издатель: Наука, Москва Год: 2000 Страницы: 115-132 Страниц: 634 ISBN: 5-020-02596-8 -
Название: Низковольтная дуга Издание: Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том II. Под ред. В.Е.Фортова Авторы: Ф.Г.Бакшт Издатель: Наука, Москва Год: 2000 Страницы: 132-147 Страниц: 634 ISBN: 5-020-02596-8 -
Название: Явления на катоде и в прикатодной плазме дугового разряда Издание: Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том II. Под ред. В.Е.Фортова Авторы: Ф.Г.Бакшт Издатель: Наука, Москва Год: 2000 Страницы: 80-93 Страниц: 634 ISBN: 5-020-02596-8 -
Название: Ionization Dynamics in Atomic Collisions Издание: Many-Particle Quantum Dynamics in Atomic and Molecular Fragmentation Авторы: S.Y.Ovchinnikov, J.H.Macek, Y.S.Gordeev, G.N.Ogurtsov Издатель: Springer Год: 2003 Страницы: 463-484 Страниц: 513 ISBN: 3-540-00667-2 -
Название: Chapter 9. Electrostatic force and force gradient microscopy: principles, points of interest and application to characterisation Издание: Applied Scanning Probe Methods II, vol.2: Scanning Probe Microscopy Techniques (Nanoscience and Technology) Авторы: A.N.Titkov, P.Girard Издатель: Springer Verlag GmbH Год: 2006 Страницы: 283-320 Страниц: 413 ISBN: 3-540-26242-3 -
Название: Chapter 11. SiC Nuclear-Radiation Detectors Издание: SiC Power Materials: Devices and Applications, ed. Zh.Ch.Feng Авторы: N.B.Strokan, A.M.Ivanov, A.A.Lebedev Издатель: Springer Год: 2004 Страницы: 411-446 Страниц: 450 ISBN: 3-540-20666-3 -
Название: Chapter 8. Porous SiC Technology Издание: Silicon Carbide material, processing, and devices Авторы: S.Saddow, M.Mynbaeva, M.F.MacMillan Издатель: TAYLOR & FRANCIS BOOKS INC Год: 2004 Страницы: 321-385 Страниц: 390 ISBN: 1-5916-9023-4 -
Название: Chapter 4. Deep-Level Defects in SiC Materials and Devices Издание: Silicon Carbide material, processing, and devices, eds: Z.C.Feng and J.H.Zhao Авторы: A.A.Lebedev Издатель: Taylor & Francis, New York- London Год: 2004 Страницы: 121-163 Страниц: 390 ISBN: 1591690234 -
Название: Generation-Recombination Noise in GaN-based Devices Издание: GaN-based materials and devices Авторы: S.L.Rumyantsev, N.Pala, M.S.Shur, M.E.Levinshtein, R.Gaska, M.Asif Khan, G.Simin Издатель: World Scientific, Singapore - New Jersey - London - Hong Kong Год: 2004 Страницы: 175-195 Страниц: 300 ISNB: 981-238-844-3 -
Название: Material Properties in Nitrides Summary Издание: GaN-based materials and devices Авторы: S.L.Rumyantsev, M.S.Shur, M.E.Levinshtein Издатель: World Scientific, Singapore - New Jersey - London - Hong Kong Год: 2004 Страницы: 1-19 Страниц: 300 ISSN: 1793-1274 -
Название: Low-frequency Noise in GaN-based Field Effect Transistors Издание: Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices, ed. Balandin Авторы: M.E.Levinshtein, A.A.Balandin, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur Издатель: American Scientific Publishers Год: 2002 Страницы: 50-64 Страниц: 411 ISBN: 1-588-83005-5 -
Название: Chapter 3. Indium Nitride Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: A.S.Zubrilov Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 49-66 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Chapter 5. Silicon Carbide Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: Yu.A Goldberg, M.E.Levinshtein, S.L.Rumyantsev Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 93-147 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Chapter 4. Boron Nitride Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: S.L.Rumyantsev, M.E.Levinshtein, A.D.Jackson, S.N.Mohammed, G.L.Harris, M.G.Spencer Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 67-92 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Chapter 1. Gallium Nitride Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: V.Bougrov, M.Levinshtein, S.L.Rumyantsev, A.Zubrilov Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 1-30 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses Издание: Ultra-Wideband Radar Technology, ed. J.Taylor Авторы: A.F.Kardo-Sysoev Издатель: CRC Press Год: 2000 Страницы: 205-290 Страниц: 448 ISBN: 849342678
⇤ первая
« предыдущая
…
15
16
17
18