Название:Микроразряды в плоских зазорах систем «газоразрядный промежуток- полупроводник»: устойчивость горения и природа явлений самоорганизации диссипативных структур
Грантодатель:РФФИ
Научная дисциплина:02-620 Физика низкотемпературной плазмы 02-430 Нелинейные колебания и волны
Ключевые слова:Таунсендовский разряд, фотоэлектрическое управление, неустойчивость состояния, автоколебания, диссипативные структуры, аналитическая теория процессов, математическое моделирование
Время действия проекта:2007-2009
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Астров,ЮА
Подразделения:
Код проекта:07-02-00168
Финансирование 2007 г.:450000.
Финансирование 2008 г.:0
Финансирование 2009 г.:0
Исполнители: Лодыгин,АН: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
Мокров,МС: None
Порцель,ЛМ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
Райзер,ЮП: None
Шувал-Сергеев,НА: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Шуман,ВБ : лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Проект посвящен исследованию новых электронных самоорганизующихся сред - микроразрядных систем «газоразрядный промежуток - полупроводник». Эти структуры являются основным элементом высокоскоростных преобразователей инфракрасных (ИК) изображений. Исследованиями последних лет установлено, вместе с тем, что наряду с существованием устойчивых режимов линейного преобразования оптических изображений, системы могут демонстрировать режимы самоорганизации целого класса диссипативных структур тока. Основной задачей проекта является установление физических механизмов, ответственных за столь сложное поведение рассматриваемых систем и построение теории, которая адекватным образом описывает явления самоорганизации в них диссипативных структур тока. Получение информации о процессах, приводящих к неустойчивым режимам работы систем, важно также для целей дальнейшего усовершенствования преобразователей изображений, которые обладают уникальными характеристиками в задачах высокоскоростной регистрации ИК изображений. Работа включает: 1. Создание исследовательских установок, которые позволят изучать пространственно-временные структуры и автоколебания тока в рассматриваемых системах. 2. Изготовление специализированных плоских полупроводниковых катодов для исследуемых систем. 3. Экспериментальное исследование транспортных свойств плоских микроразрядов при изменении параметров систем (в первую очередь - состава и давления газа, и толщины разрядного промежутка). 4. Исследование области устойчивости стационарных пространственно-однородных распределений тока и диссипативных структур тока, возникающих при потере устойчивости. 5. Построение аналитической теории микроразрядов (одномерный случай) и создание и анализ трехмерных моделей, которые будут исследованы численными методами.