| Название: | Получение и исследование наноуглеродных слоев (графена) на поверхности карбида кремния |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Научная дисциплина: | 02-200 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД 02-204 Поверхность и тонкие пленки |
| Ключевые слова: | графен, карбид кремния, двухмерные системы |
| Время действия проекта: | 2007-2009 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Лебедев,АА |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 07-02-00636 |
| Финансирование 2007 г.: | |
| Финансирование 2008 г.: | 0 |
| Финансирование 2009 г.: | 0 |
| Исполнители: |
Абрамов,ПЛ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Давыдов,СЮ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Зеленин,ВВ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Кузнецов,АН: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Макаренко,ИВ: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Петров,ВН: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Садохин,АВ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Стрельчук,АМ : лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
|
В последние годы усилился интерес к получению планарных наноуглеродных слоев (графена). Данные слои обладают металлической проводимостью, стабильны при комнатной температуре на воздухе и могут быть использованы для создания нано-транзисторов. Фирма INTEL рассматривает графен как одну из возможных основ микроэлектроники будущего. В настоящее время графен в основном получают осаждением слоев графита на поверхности различных диэлектриков или металлов. Известно , что при нагреве карбида кремния (SiC) происходит испарене атомов Si и образование на поверхности полупроводника пленок графита. Обычно «графитизация» рассматривается как отрицательное явление в карбид кремневой электронике. В ходе выполнения настоящего проекта предполагается отработать технологию управляемой графитизации SiC с целью получения пленок графена. Для этого будут использованы три технологических метода: сублимационную технологию, атомно-слоевую газофазовую эпитаксию, магнетронное реактивное осаждение. Качество полученных пленок будет контролироватся высоковакууумным сканирующим туннельным микроскопом. На пленках графена с наилучшим структурным совершенством будут проведены электрические измерения при низких температурах.Создание технологии получения пленок графена на SiC позволит получать однордные пленки большой площади - диаметр комерчески доступных подложек SiC сейчас достигает 100 мм. Кроме того за счет различных обработок поверхности SiC возможно локальное создание пленок нужной конфигурации. Также открывается возможность сочентания приборов на основе графена и SiC электронике в одном образце.
