| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 23785 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 308212 |
| на статью | 13,0 |
| Индекс Хирша | 167 |
| G-индекс | 279 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 27086 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 337129 |
| на статью | 12,4 |
| Индекс Хирша | 176 |
| G-индекс | 294 |
⇤ первая
« предыдущая
…
10
11
12
13
14
15
16
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 345
-
Название: Многопереходный солнечный элемент Патент РФ: #2539102 от 26 ноября 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока Патент РФ: #11532 от 20 августа 2013 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Воронков,ВБ Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Воронков,ВБ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Мощный полупроводниковый биполярный переключающий прибор Патент РФ: #136924 от 20 января 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ; Гусин,ДВ; Костина,ЛС; Рожков,АВ Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Мощный полупроводниковый импульсный тиристор Патент РФ: #148671 от 12 ноября 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ; Коротков,СВ Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Коротков,СВ Подразделения: - лаб. прикладных проблем сильноточной электроники (Короткова,СВ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Интегрированный Шотки-pn диод на основе карбида кремния Патент РФ: #2390880 от 27 мая 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Способ определения угла разориентированности кристаллитов алмаза в композите алмаза Патент РФ: #2522596 от 21 мая 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Солтамова,АА; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
- лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
-
Название: Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN Патент РФ: #2523105 от 13 марта 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Левинштейн,МЕ; Шабунина,ЕИ; Шмидт,НМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: -
Название: Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge Патент РФ: #2528277 от 17 июля 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Калюжный,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Калюжный,НА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Электростатический спектрограф для заряженных частиц Патент РФ: #140365 от 8 апреля 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Фишкова,ТЯ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. процессов атомных столкновений (Афанасьева,ВИ)
-
Название: Концентраторный каскадный фотопреобразователь Патент РФ: #2515210 от 12 марта 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Фотоэлектрический концентраторный субмодуль Патент РФ: #2496181 от 23 октября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Румянцев,ВД; Садчиков,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Садчиков,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2259620 от 27 августа 2005 г. Тип: Изобретение Авторы: Пихтин,НА; Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Винокуров,ДА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Пихтин,НА; Слипченко,СО Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура Патент РФ: #2396655 от 10 августа 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Тарасов,ИС; Арсентьев,ИН; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Симаков,ВА; Коняев,ВП; Мармалюк,АА; Ладугин,МА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Арсентьев,ИН; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2444101 от 27 февраля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2443044 от 20 февраля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Топливный элемент и батарея топливных элементов Патент РФ: #2496186 от 20 октября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Кошкина,ДВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Нечитайлов,АА; Глебова,НВ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Способ изготовления многострийного эмиссионного катода Патент РФ: #2413328 от 27 февраля 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Гусинский,ГМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. циклотронная (Найденова,ВО)
-
Название: Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком Патент РФ: #2387062 от 20 апреля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Зверев,ММ; Иванов,СВ; Олихов,М Правообладатели: НИИ «Платан» с заводом при НИИ; ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; МИРЭА Авторы - сотрудники ФТИ: Иванов,СВ Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения Патент РФ: #2469438 от 10 декабря 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ИА; Ильинская,НД; Серебренникова,ОЮ; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ИА; Ильинская,НД; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Название: Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами Патент РФ: #2448900 от 27 апреля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Солтамова,АА; Шахов,ФМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
- лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
⇤ первая
« предыдущая
…
10
11
12
13
14
15
16
…
следующая »
последняя ⇥