| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 23250 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 305595 |
| на статью | 13,1 |
| Индекс Хирша | 167 |
| G-индекс | 279 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 26546 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 332222 |
| на статью | 12,5 |
| Индекс Хирша | 175 |
| G-индекс | 293 |
⇤ первая
« предыдущая
…
10
11
12
13
14
15
16
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 333
-
Название: Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура Патент РФ: #2396655 от 10 августа 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Тарасов,ИС; Арсентьев,ИН; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Симаков,ВА; Коняев,ВП; Мармалюк,АА; Ладугин,МА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Арсентьев,ИН; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2444101 от 27 февраля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Инжекционный лазер Патент РФ: #2443044 от 20 февраля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Топливный элемент и батарея топливных элементов Патент РФ: #2496186 от 20 октября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Кошкина,ДВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Нечитайлов,АА; Глебова,НВ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Способ изготовления многострийного эмиссионного катода Патент РФ: #2413328 от 27 февраля 2011 г. Тип: Изобретение Авторы: Гусинский,ГМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. циклотронная (Найденова,ВО)
-
Название: Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком Патент РФ: #2387062 от 20 апреля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Зверев,ММ; Иванов,СВ; Олихов,М Правообладатели: НИИ «Платан» с заводом при НИИ; ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН; МИРЭА Авторы - сотрудники ФТИ: Иванов,СВ Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения Патент РФ: #2469438 от 10 декабря 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ИА; Ильинская,НД; Серебренникова,ОЮ; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ИА; Ильинская,НД; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Название: Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами Патент РФ: #2448900 от 27 апреля 2012 г. Тип: Изобретение Авторы: Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Солтамова,АА; Шахов,ФМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Подразделения: - лаб. физики кластерных структур (Вуля,АЯ)
- лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
-
Название: Способ оптического детектирования магнитного резонанса и устройство для его осуществления Патент РФ: #2483316 от 27 мая 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Бабунц,РА; Солтамова,АА; Бадалян,АГ; Романов,НГ; Баранов,ПГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Романов,НГ; Баранов,ПГ Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
-
Название: Интерферометр Патент РФ: #135114 от 27 ноября 2013 г. Тип: Полезная модель Авторы: Абрамов,АС; Андроников, ДА; Бобыль,АВ; Караваев,ПМ; Косарев,АИ; Мальчукова,ЕВ; Теруков,ЕИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Абрамов,АС; Бобыль,АВ; Мальчукова,ЕВ; Теруков,ЕИ Подразделения: - лаб. квантовой электроники (Шамрая,АВ)
- лаб. физики аморфных полупроводников (Голубева,ВГ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Устройство мониторинга работы солнечной батареи Патент РФ : #132212 от 10 сентября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Ларионов,ВР; Покровский,ПВ; Малевский,ДА; Малевская,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ларионов,ВР; Покровский,ПВ; Малевский,ДА; Малевская,АВ Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов Патент РФ: #2493634 от 20 сентября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов Патент РФ: #2492555 от 10 сентября 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель Патент РФ: #2485628 от 20 июня 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Гребенщикова,ЕА; Задиранов,ЮМ; Ильинская,НД; Калиновский,ВС; Малевская,АВ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Гребенщикова,ЕА; Задиранов,ЮМ; Ильинская,НД; Калиновский,ВС; Малевская,АВ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления фотовольтаического преобразователя Патент РФ: #2485627 от 20 июня 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки Патент РФ: #2483387 от 27 мая 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Кудряшов,ДА; Левин,РВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Левин,РВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Автономная система электроснабжения на основе солнечной фотоэлектрической установки Патент РФ: #2479910 от 20 апреля 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Аронова,ЕС; Шварц,МЗ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Шварц,МЗ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения Патент РФ: #2488916 от 27 июля 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Гребенщикова,ЕА; Шерстнев,ВВ; Старостенко,ДА; Куницына,ЕВ; Коновалов,ГГ; Андреев,ИА; Яковлев,ЮП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Гребенщикова,ЕА; Куницына,ЕВ; Коновалов,ГГ; Андреев,ИА; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Название: Способ активации мембранно-электродного блока Патент РФ: #2487442 от 10 июля 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Андроников,ДА; Зеленина,НК; Терукова,ЕЕ; Томасов,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Терукова,ЕЕ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Мынбаева,КД)
- лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
-
Название: Монохроматор для электронов с низкой энергией Патент РФ: #93581 от 27 апреля 2010 г. Тип: Полезная модель Авторы: Фишкова,ТЯ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. процессов атомных столкновений (Афанасьева,ВИ)
⇤ первая
« предыдущая
…
10
11
12
13
14
15
16
…
следующая »
последняя ⇥