Всего записей: 338
  • Название:Способ изготовления наноструктурного омического контакта фотоэлектрического преобразователя
    Патент РФ:#2426194 от 10 августа 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Солдатенков,ФЮ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Солдатенков,ФЮ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Подразделения:
  • Название:Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных фотопреобразователей
    Патент РФ:#2426198 от 10 августа 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Власов,АС; Ракова,ЕП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ
    Подразделения:
  • Название:Оптический элемент модулятора
    Патент РФ:#92208 от 10 марта 2010 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Акимов,АВ; Голубев,ВГ; Каплан,СФ; Певцов,АБ; Щербаков,АВ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Голубев,ВГ; Певцов,АБ
    Подразделения:
  • Название:Спектрометр электронного парамагнитного резонанса (варианты)
    Патент РФ:# 2411530 от 10 февраля 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Романов,НГ; Богданов,ЛЮ; Наливкин,АВ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Романов,НГ
    Подразделения:
  • Название:Способ для измерения размеров наночастиц и устройство для измерения спектров магнитного резонанса
    Патент РФ:# 2395448 от 27 июля 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Баранов,ПГ; Романов,НГ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Баранов,ПГ; Романов,НГ
    Подразделения:
  • Название:Спектрометр электронного парамагнитного резонанса
    Патент РФ:# 2411529 от 10 февраля 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Романов,НГ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Романов,НГ
    Подразделения:
  • Название:Способ калибровки спектрометра электронного парамагнитного резонанса для его осуществления
    Патент РФ:# 2394230 от 10 июля 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Бадалян,АГ; Бабунц,РА; Баранов,ПГ; Романов,НГ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Бадалян,АГ; Бабунц,РА; Баранов,ПГ; Романов,НГ
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления каталитического материала для топливного элемента
    Патент РФ:# 2421849 от 20 июня 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Глебова,НВ; Нечитайлов,АА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Глебова,НВ; Нечитайлов,АА
    Подразделения:
  • Название:Полупроводниковый генератор высоковольтных импульсов наносекундным фронтом нарастания
    Патент РФ:#107651 от 20 августа 2011 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Аристов,ЮВ; Коротков,СВ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Аристов,ЮВ; Коротков,СВ
    Подразделения:
  • Название:Способ измельчения кристаллического порошкового материала
    Патент РФ:#2423182 от 10 июля 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Клявин,ОВ; Дринберг,АС; Ицко,ЭФ; Чернов,ЮМ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:
    Подразделения:
  • Название:Терагерцовый сканирующий зондовый микроскоп
    Патент РФ:#92172 от 10 марта 2010 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Андрианов,АВ; Трухин,ВН
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андрианов,АВ; Трухин,ВН
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления композитной линзовой панели для концентраторных фотоэлектрических преобразователей на основе наногетероструктур
    Патент РФ:#2422860 от 27 июня 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Румянцев,ВД; Садчиков,НА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Садчиков,НА
    Подразделения:
  • Название:Система фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
    Патент РФ:#2413334 от 27 февраля 2011 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Потапович,НС; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Потапович,НС; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Подразделения:
  • Название:Концентраторный солнечный элемент
    Патент РФ:#2407108 от 20 декабря 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Терра,АР; Гудовских,АС; Лантратов,ВМ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Терра,АР; Гудовских,АС
    Подразделения:
  • Название:Способ контроля содержания магнитных примесей в наноалмазах детонационного синтеза
    Патент РФ:#2388688 от 10 мая 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вейнгер,АИ;Вуль,АЯ; Вуль,СП; Яговкина,МА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вуль,АЯ; Вуль,СП; Яговкина,МА
    Подразделения:
  • Название:Устройство для определения положения светового пятна
    Патент РФ:#2399023 от 10 сентября 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
    Подразделения:
  • Название:Координато-чувствительный датчик Мультискан
    Патент РФ:#2399117 от 10 сентября 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
    Подразделения:
  • Название:Устройство для определения положения светового пятна
    Патент РФ:#2399022 от 10 сентября 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
    Подразделения:
  • Название:Термоэлектрический элемент
    Патент РФ:#2376681 от 20 декабря 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Вуль,АЯ; Эйдельман,ЕД
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Вуль,АЯ; Эйдельман,ЕД
    Подразделения:
  • Название:Способ определения фотоэлектрических параметров высокоомных полупроводников
    Патент РФ:#2383081 от 27 февраля 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Брюшинин,МА; Соколов,ИА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Брюшинин,МА; Соколов,ИА
    Подразделения: