| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 23596 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 307341 |
| на статью | 13,0 |
| Индекс Хирша | 167 |
| G-индекс | 279 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 26714 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 334371 |
| на статью | 12,5 |
| Индекс Хирша | 175 |
| G-индекс | 293 |
⇤ первая
« предыдущая
…
13
14
15
16
17
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 338
-
Название: Двухсекционный лазер Патент РФ: #2383093 от 27 февраля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Портной,ЕЛ; Гаджиев,ИМ; Соболев,ММ; Бакшаев,ИО Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Портной,ЕЛ; Гаджиев,ИМ; Соболев,ММ Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
-
Название: Способ изготовления детектора короткопробежных частиц Патент РФ: #2378738 от 10 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Еремин,ВК; Вербицкая,ЕМ; Еремин,ИВ; Тубольцев,ЮВ; Егоров,НН; Голубков,СА; Коньков,КА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Еремин,ВК; Вербицкая,ЕМ; Еремин,ИВ; Тубольцев,ЮВ Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. масс-спектрометрии (Аруева,НН)
- лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
-
Название: Фотоэлектрический модуль Патент РФ: #2395136 от 20 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Румянцев,ВД; Садчиков,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Садчиков,НА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Полупроводниковое переключающее устройство Патент РФ: #97006 от 20 августа 2010 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Высоковольтный полупроводниковый прибор Патент РФ: #2395869 от 27 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния Патент РФ: #2395868 от 27 июля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ определения координат заряженных частиц Патент РФ: #2379711 от 20 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сотникова,ГЮ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сотникова,ГЮ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Интерферометр для определения объемного распределения оптических свойств объекта Патент РФ: #89690 от 15 декабря 2009 г. Тип: Полезная модель Авторы: Бабенко,ВА; Малый,АФ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бабенко,ВА; Малый,АФ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
-
Название: Способ получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе GaSb Патент РФ: #2370854 от 20 октября 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП; Андреев,ИА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП; Андреев,ИА Подразделения: - лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
-
Название: Полупроводниковый генератор высоковольтных наносекундных импульсов Патент РФ : #84158 от 10 октября 2008 г. Тип: Полезная модель Авторы: Аристов,ЮВ; Коротков,СВ; Люблинский,АГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Аристов,ЮВ; Коротков,СВ; Люблинский,АГ Подразделения: - лаб. прикладных проблем сильноточной электроники (Короткова,СВ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Способ формирования многослойного омического контактафотоэлектрического преобразователя (варианты) Патент РФ: #2391741 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) Патент РФ: #2391745 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей Патент РФ: #2391744 от 10 июня 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Импульсный имитатор солнечного излучения Патент РФ: #2388104 от 27 апреля 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Румянцев,ВД; Шварц,МЗ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Шварц,МЗ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на снове соединений Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления Патент РФ: #2384838 от 20 марта 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ащеулов,ЮВ; Малевский,ДА; Румянцев,ВД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Малевский,ДА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Имитатор солнечного излучения Патент РФ: #2380663 от 27 января 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Румянцев,ВД; Шварц,МЗ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Шварц,МЗ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ определения качества фотовольтаического p-n перехода Патент РФ: #2375720 от 10 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Калиновский,ВС; Румянцев,ВД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Калиновский,ВС Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
-
Название: Солнечная энергетическая установка Патент РФ: #2377472 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Ионова,ЕА; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ионова,ЕА; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Установка для ориентации фотоэлектрической батареи на Солнце Патент РФ: #2377474 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Монастыренко,АО;Румянцев,ВД; Терра,АР Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Терра,АР Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе германия Патент РФ: #2377697 от 27 декабря 2009 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
⇤ первая
« предыдущая
…
13
14
15
16
17
следующая »
последняя ⇥