• Название:Способ выращивания многослойной структуры на основе InGaN посредством плазменного МВЕ
    Патент РФ:#2344509 от 20 января 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Ким,БумДзоон; Коике,Масайоси; Ким,МинХо; Иванов,СВ; Жмерик,ВН
    Правообладатели:САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR), ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН (RU)
    Авторы - сотрудники ФТИ:Иванов,СВ; Жмерик,ВН
    Подразделения:
  • Название:Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления.
    Патент РФ:#2326993 от 20 июня 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Парк,ХееСеок; Жиляев,ЮВ; Бессолов,ВН
    Правообладатели:САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД, (KR), ФТИ им.Иоффе РАН (RU)
    Авторы - сотрудники ФТИ:Бессолов,ВН
    Подразделения:
  • Название:Запираемый тиристор и способ его работы
    Патент РФ:#2335824 от 10 октября 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Грехов,ИВ
    Правообладатели:ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Грехов,ИВ
    Подразделения:
  • Название:Устройство для определения положения объекта
    Патент РФ:#75733 от 20 августа 2008 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Гук,ЕГ; Подласкин,БГ; Васильев,АВ
    Правообладатели:ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Гук,ЕГ; Подласкин,БГ
    Подразделения:
  • Название:Устройство для получения потока плазмы
    Патент РФ:#2330393 от 27 июля 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Воронин,АВ
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Воронин,АВ
    Подразделения:
  • Название:Способ очистки наноалмазов
    Патент РФ:#2322389 от 20 апреля 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
    Подразделения:
  • Название:Устройство для измерения электрического тока на участке цепи
    Патент РФ:#69312 от 10 декабря 2007 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Щербаков,ИП; Самуйлов,СД
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Щербаков,ИП; Самуйлов,СД
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений А3В5 методом жидкофазной эпитаксии
    Патент РФ:#2297690 от 20 апреля 2007 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Солдатенков,ФЮ
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Солдатенков,ФЮ
    Подразделения: