Всего записей: 324
  • Название:Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на снове соединений Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления
    Патент РФ:#2384838 от 20 марта 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Ащеулов,ЮВ; Малевский,ДА; Румянцев,ВД
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Малевский,ДА
    Подразделения:
  • Название:Имитатор солнечного излучения
    Патент РФ:#2380663 от 27 января 2010 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Румянцев,ВД; Шварц,МЗ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Шварц,МЗ
    Подразделения:
  • Название:Способ определения качества фотовольтаического p-n перехода
    Патент РФ:#2375720 от 10 декабря 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Калиновский,ВС; Румянцев,ВД
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Калиновский,ВС
    Подразделения:
  • Название:Солнечная энергетическая установка
    Патент РФ:#2377472 от 27 декабря 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Ионова,ЕА; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Ионова,ЕА; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА
    Подразделения:
  • Название:Установка для ориентации фотоэлектрической батареи на Солнце
    Патент РФ:#2377474 от 27 декабря 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Монастыренко,АО;Румянцев,ВД; Терра,АР
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Терра,АР
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе германия
    Патент РФ:#2377697 от 27 декабря 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления фотоэлектрического элемента на основе германия
    Патент РФ:#2377698 от 27 декабря 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА
    Подразделения:
  • Название:Прозрачная керамическая композиция
    Патент РФ:#2359832 от 27 июня 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Кожушко,АА; Синани,АБ; Зильбербранд,ЕЛ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:
    Подразделения:
  • Название:Многослойный фотопреобразователь
    Патент РФ:#2364007 от 10 августа 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb
    Патент РФ:#2368033 от 20 сентября 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры
    Патент РФ:#2354009 от 27 апреля 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя
    Патент РФ:#2366035 от 27 августа 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей
    Патент РФ:#2368038 от 20 сентября 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Фотонно-кристаллическая структура для управления потоком электромагнитного излучения с заданными длинами волн
    Патент РФ:#85688 от 30 октября 2008 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Барышев,АВ; Лимонов,МФ; Рыбин,МВ; Самусев,КБ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Лимонов,МФ; Рыбин,МВ; Самусев,КБ
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя
    Патент РФ:#2354008 от 27 апреля 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Подразделения:
  • Название:Способ подавления шума канала связи при передаче сигнала двумерного изображения
    Патент РФ:#2350021 от 20 марта 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА
    Подразделения:
  • Название:Способ выращивания многослойной структуры на основе InGaN посредством плазменного МВЕ
    Патент РФ:#2344509 от 20 января 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Ким,БумДзоон; Коике,Масайоси; Ким,МинХо; Иванов,СВ; Жмерик,ВН
    Правообладатели:САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR), ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН (RU)
    Авторы - сотрудники ФТИ:Иванов,СВ; Жмерик,ВН
    Подразделения:
  • Название:Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления.
    Патент РФ:#2326993 от 20 июня 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Парк,ХееСеок; Жиляев,ЮВ; Бессолов,ВН
    Правообладатели:САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД, (KR), ФТИ им.Иоффе РАН (RU)
    Авторы - сотрудники ФТИ:Бессолов,ВН
    Подразделения:
  • Название:Запираемый тиристор и способ его работы
    Патент РФ:#2335824 от 10 октября 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Грехов,ИВ
    Правообладатели:ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Грехов,ИВ
    Подразделения:
  • Название:Устройство для определения положения объекта
    Патент РФ:#75733 от 20 августа 2008 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Гук,ЕГ; Подласкин,БГ; Васильев,АВ
    Правообладатели:ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Гук,ЕГ; Подласкин,БГ
    Подразделения: